法国CEA原子能中心Maxime vallet研究员到访我院开展学术研讨会
发布日期：2019-09-06 阅读次数：3373次 来源： 国际合作 作者：
2019年9月3日上午，法国CEA原子能中心Maxime vallet研究员到访js345线路检测(中国)股份有限公司，与我院师生进行了离子注入提取硅片及其机理分析的学术交流活动。北京交通大学机电学院材料中心于文波老师接待了来访的Maxime vallet研究员，双方就各透射电镜在材料表征方面的研究进展及双方的合作问题进行了探讨。
Maxime Vallet研究员，工作于巴黎原子能中心，研究领域为材料结构和化学特性的，于2014在法国普瓦捷大学-法国科学院Pprimes研究所获得博士学位。他致力于研究加工半导体基材料引起的宏观性能变化与纳米尺度的应变、缺陷及化学组织关系。为此，他主要使用透射电子显微镜技术，如明/暗场、高倍透射、高倍扫描透射、能量损失吸收谱及原位实验观察等手段。还包括聚焦离子束的使用、X射线衍射的使用以及基于线性弹性理论的数值计算的编写。
Maxime vallet研究员在机械工程楼八楼大会议室做了题为“Study of 2D He-based defects in silicon – Application to the transfer of thin films硅中二维氦基缺陷的研究——在薄膜转移中的应用”的学术报告。出席报告会的有北京交大机电学院材料中心周洋教授、黄振莺教授，李翠伟副教授，于文波副教授及机电学院的李学政等有关专业老师，本科及研究生。报告会由于文波老师主持。
报告会上，于文波老师首先对Maxime vallet研究员的基本情况及其学术业绩进行了简要介绍。随后Maxime vallet研究员首先介绍了法国巴黎的一些基本情况，并欢迎有意出国深造的同学积极申请。
离子注入是一种材料表面改性过程，离子注入另一种固体材料，导致材料表面物理和化学性质发生变化。该工艺在半导体器件制造和金属表面处理领域应用多年。智能CutTM工艺[1]基于离子注入，在绝缘基板上切割和传输硅薄膜，从而形成晶体管的基本元件：SOI基板。在H型植入过程中产生的二维缺陷被用来产生裂纹，裂纹通过样品传播并切割薄膜。先前的研究表明，在Si中裂纹的扩展也可以由名为He板[2]的二维缺陷触发。这项工作的目的是研究这些氦基缺陷的形成和演化，直到裂纹扩展。
在讲座中，Maxime介绍了不同基板取向的He板的形成，并讨论植入引起的双轴压应力[3]。利用原始的实验方法，结合H植入和透射电子显微镜观察，讨论了HE板向裂纹演变的过程[4]。将讨论与智能切割过程相关的结果，如裂纹形状。最后，Maxime vallet研究员与大家进行了问题讨论和互动，在愉快的气氛中结束，取得了理想的效果。
